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18
2025
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07
GaN MOSFET
GaN級聯(lián)結構，兼具Si MOS器件易于驅動（與傳統(tǒng)Si器件驅動兼容度高）、柵壓驅動范圍寬（±20V）、柵極可靠性高等優(yōu)勢和GaN器件高耐壓、低導通電阻、高開關速度等優(yōu)勢。
Si MOS器件的集成，使得級聯(lián)器件具有較低的反向導通壓降，在應用中，反向導通損耗優(yōu)勢明顯。
Dmode-GaN器件基于致能高質量的外延和器件結構設計，器件具有高耐壓，高可靠性和低動態(tài)電阻等優(yōu)點。
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